300KW SiC-MOSFET Solid State høyfrekvent rørsveiser

300KW SiC-MOSFET Solid State høyfrekvent rørsveiservedtar SiC mosfet og den har høy temperatur og høytrykksmotstand. SiC mosfet brukes hovedsakelig på kraftmodulkortene. Denne typen strømkort brukes i solid state høyfrekvente rørsveiser.

Tekniske parametere:

Nominell utgangseffekt: 300kW

Sveisemodus: induksjonstype

Nominell likespenning: 240V

Nominell likestrøm: 1500A

Nominell frekvens: 300KHZ

Hele effektiviteten: η≥85 %

Strømforsyningsspenning: 3-fase 380V/50Hz (utstyret kan fungere ved spenningen 380V±5%)

Strømfordelingskapasitet: ≥360kVA

Ytelsesegenskaper

Høy temperatur og høytrykksmotstand: SiC gjør det mulig å lage kraftenheter av300KW SiC-MOSFET Solid State høyfrekvent rørsveiserfungerer pålitelig selv i miljøer med høy temperatur. SiC har en nedbrytningsfeltstyrke for isolasjon som er ti ganger høyere enn SiC, noe som muliggjør produksjon av høyspente kraftenheter med økte dopingkonsentrasjoner og tynnere drivlagsfilmtykkelse sammenlignet med SiC-baserte enheter.

Miniatyrisering og lettvektsdesign av enheter: Silisiumkarbid (SiC) enheter av300KW SiC-MOSFET Solid State høyfrekvent rørsveisertilbyr overlegen termisk ledningsevne og effekttetthet, forenkler varmeavledningssystemer og letter enhetens miniatyrisering og lettvektskonstruksjon.

Høyfrekvent drift og lavt energitap: SiC-enheter fungerer ved frekvenser opptil ti ganger høyere enn silisiumbaserte enheter, og opprettholder effektiviteten uten tap når frekvensen øker, noe som resulterer i nesten 50 % reduksjon i energitapet. I tillegg reduserer den økte driftsfrekvensen volumet av perifere komponenter som induktorer og transformatorer, noe som fører til redusert systemvolum og komponentkostnader.

Vi produserer ikke bare300KW SiC-MOSFET Solid State høyfrekvente rørsveisere, men også gi høy ytelse og pålitelig induksjonsvarmebehandlingsutstyr og noen løsninger. Velkommen til å konsultere for detaljert informasjon!